Přihlašovací formulář
Přihlašovací jméno:
Přihlašovací heslo:




Zapomenuté heslo|Zaregistrovat se
+420 469 811 000
Specialista na herní počítače, notebooky a telefony
+420 469 811 000Po-Pa: 8 - 12 / 13 - 17
Košík0 Kč
Aktuální akční letáky
  1. Hlavní stránka
  2. KOMPONENTY
  3. Paměti RAM
  4. DIMM DDR3 8GB 1600MHz CL11 ADATA, 512x8, Bulk

DIMM DDR3 8GB 1600MHz CL11 ADATA, 512x8, Bulk

Sleva -178 Kč
DIMM DDR3 8GB 1600MHz CL11 ADATA, 512x8, Bulk
Výrobce:A-Data
Kód produktu:i8_1034692
Part number:AD3U1600W8G11-B
EAN:1034692
Záruka:99 Doživotní
Dostupnost:
na dotaz Zboží může být skladem. O počtu se informujte. Po případném objednání sdělíme termín dodání.
Původní cena:1 433 Kč
Sleva:-178 Kč
Cena s DPH:1 255 Kč
1 037.19 Kč bez DPH
Dnes objednané zboží doručíme do neznámý datum.Termíny jsou platné, pokud zboží objednáte do 16:20 v pracovní den a mimo svátky. Zboží na prodejně bude k vyzvednutí následující pracovní den při objednání do 16:30. O doručení budete informování SMS či e-mailem.
Osobní odběr na prodejně ZDARMA.
Porovnat
ks
Popis
Parametry produktu
This is a 1024Mx64 bits 8GB(8192MB) DDR3-1600(CL11)-11-11-28 SDRAM memory module, The SPD is programmed to JEDEC standard latency 1600Mbps timing of 11-11-11-28 at 1.5V. The module is composed of six-teen 512Mx8 bits CMOS DDR3 SDRAMs in FBGA package and one 2Kbit EEPROM in 8pin TDFN package on a 240pin glass–epoxy printed circuit board. The module is a Dual In-line Memory Module and intended for mounting onto 240-pins edge connector sockets. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock. Data I/O transactions are possible on both edges of DQS. Range of operating frequencies, programmable latencies and burst lengths allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications.

Features:
- Power supply (Normal): VDD & VDDQ = 1.5V ± 0.075V
- 1.5V (SSTL_15 compatible) I/O
- MRS Cycle with address key programs
- CAS Latency (5,6,7,8,9,10,11)
- Burst Length (BL):8 and 4 with Burst Chop(BC)
- Bi-directional, differential data strobe (DQS and /DQS)
- Differential clock input (CK, /CK) operation
- DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition
- Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle
- 8 independent internal bank
- Internal (self) calibration: Internal self calibration through ZQ pin (RZQ:240 ohm±1%)
- Auto refresh and self refresh
- Average Refresh Period 7.8us at lower then TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE 95°C
- 8-bit pre-fetch.
- On Die Termination using ODT pin.
- Lead-free and Halogen-free products are RoHS Compliant.
Technologie paměti RAM:DDR3
Kapacita paměti RAM:8 GB
Frekvence paměti RAM (v MHz):1600
CAS latency:11
Zpracování dat
Schovat